Page 3 - 邬贺铨：数字机遇与创新生态
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摩尔定律还在持续推动微电子技术发展
晶体管数/mm²
碳基器件 Nanotube/
亿 Graphene-FET
Source: 北大王阳元院士 低功耗隧穿器件
http://newsroom.intel.com/docs/DOC-2035, Tunneling-FET
千万 高迁移率器件
Ge/Ⅲ-Ⅴ-FET 自旋逻辑器件
Spin-Transistor
新结构器件
百万 Fin-FET/Tri-Gate
Si纳米线技术
金属栅 Nanowire-FET
高K介质 第二代 华为5G手机SOC
十万 沟道工程 Tri-Gate
应变硅技术 2018.09 2019.09 2020.09
第二代
高K介质/金属栅
第二代 麒麟980 麒麟990 麒麟9000
万 应变硅技术 7nm 7nm 5nm
0.69亿 1.03亿 1.71亿晶体管/mm²
千 8核CPU 8核CPU 8核CPU
24核GPU 16核GPU 24核GPU
2.8GHz 2.86GHz 3.13GHz主频
百
1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020
IC技术进步在4G之前主要是计算机驱动，但5G要求更高集成度，2020年5G终端开始使用5nm芯片，2025年可能
出现1nm芯片量产 。目前CPU能力相当于鼠脑水平，2030年有望接近人脑水平。
2021年超算能力达到每秒百亿亿次，2025年将是千亿亿次，每十年增加千倍。
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